n2 2nm 文章 最新資訊
晶圓代工復(fù)蘇勢(shì)頭強(qiáng)勁 三星接近與高通2nm合作
- 根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題，并失去了臺(tái)積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對(duì)多款芯片進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動(dòng)處理器的高級(jí)版本。這款代號(hào)為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體。基本版本預(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3nm 工藝
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 三星 高通 2nm
高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列
- 據(jù)外媒Business Post報(bào)道，三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī)，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺(tái)積電獨(dú)家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報(bào)道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開發(fā)兩個(gè)版本。一個(gè)版本采用臺(tái)積電3nm制程，供
- 關(guān)鍵字： 高通 驍龍 三星 2nm Galaxy
三星接近與高通達(dá)成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)
- 根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺(tái)積電的情況。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對(duì)數(shù)款芯片進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動(dòng)處理器。這款芯片的代號(hào)為“Kaanapali”，將提供兩種變體。基礎(chǔ)版本預(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm 晶圓代工
三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報(bào)道，隨著主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時(shí)間表，但該報(bào)告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道，在此次活動(dòng)中，三星透
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm 4nm 1.4nm
三星推動(dòng)2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺(tái)積電3納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 市場(chǎng)傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺(tái)積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時(shí)報(bào)報(bào)道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 4 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng)，這引發(fā)了對(duì)其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺(tái)積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。同時(shí)，臺(tái)積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報(bào)告指出，這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶的首選。
- 關(guān)鍵字： 三星 臺(tái)積電 2nm 制程工藝
2納米芯片制造激烈競(jìng)爭(zhēng)：良率差距顯著
- 在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電和三星電子正激烈爭(zhēng)奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺(tái)積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
- 關(guān)鍵字： 制程 2nm 三星 臺(tái)積電
UCIe IP 子系統(tǒng)支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)速率
- Alphawave Semi 公司宣布其 UCIe IP 子系統(tǒng)在 TSMC N2 工藝上成功流片，支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率。該 IP 與 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)先進(jìn)封裝技術(shù)完全集成，為下一代芯片 let 架構(gòu)解鎖了突破性的帶寬密度和可擴(kuò)展性。這一里程碑，基于 Alphawave Semi 最近發(fā)布的 AI 平臺(tái)，展示了其支持未來異構(gòu) SoC 和擴(kuò)展超大規(guī)模 AI 和 HPC 工作負(fù)載的能力。通過這次流片，Alphawave Semi 成
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 N2
臺(tái)積電2nm良率曝光
- 在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺(tái)積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm AI 蘋果 晶圓
臺(tái)積電 2 納米晶圓價(jià)格達(dá)到 3 萬美元，據(jù)報(bào)道 SRAM 的良率達(dá)到了 90%
- 臺(tái)積電在過去幾年中穩(wěn)步提高其最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的價(jià)格——如此之高，以至于一項(xiàng)分析表明， 晶體管成本在十多年里沒有下降。進(jìn)一步的價(jià)格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開發(fā)成本推動(dòng)，正在強(qiáng)化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念。《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電即將推出的 N2 2 納米半導(dǎo)體每片晶圓將售價(jià) 3 萬美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺(tái)積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價(jià)格上漲辯護(hù)，這些成本最高可達(dá) 7.25 億美元。根
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm
傳臺(tái)積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用
- 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報(bào)道，2nm 晶圓價(jià)格已達(dá)到每單位 30,000 美元，未來節(jié)點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì)飆升至 45,000 美元。報(bào)告補(bǔ)充說，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息人士的話說，開發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此，頂級(jí)玩家仍在潛入——正如該報(bào)告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm 晶圓 CSP
MediaTek 9月推首款2nm芯片流片，用于智能手機(jī)/NVLink定制ASIC
- 繼小米推出首款自有 3nm 芯片 XRING 01 后，智能手機(jī)芯片制造商聯(lián)發(fā)科技也在 Computex 2025 上發(fā)布了其首款 2nm 產(chǎn)品。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該公司的首款 2nm 芯片預(yù)計(jì)將于 9 月流片。隨著聯(lián)發(fā)科技加深與 NVIDIA 的合作伙伴關(guān)系，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道稱，其首款由臺(tái)積電制造的 2nm 芯片可能是下一代旗艦智能手機(jī) SoC，也可能是 NVIDIA NVLink Fusion 系統(tǒng)的定制 ASIC。根據(jù) MediaTek 的新聞稿，作為 NVIDIA NVLink Fusion 的首批
- 關(guān)鍵字： MediaTek 2nm 芯片流片 智能手機(jī) NVLink 定制ASIC
芯片，遇到難題
- 近，semiengineering 的文章指出，由于復(fù)雜性不斷上升，芯片制造從單片芯片轉(zhuǎn)向多芯片組件，需要進(jìn)行更多次迭代，以及定制化程度不斷提高導(dǎo)致設(shè)計(jì)和驗(yàn)證更加耗時(shí)，首次流片的成功率正在急劇下降。從西門子提供的數(shù)據(jù)看，半導(dǎo)體行業(yè)首次流片的成功率已經(jīng)達(dá)到了歷史低點(diǎn)。此外，隨著 2nm 的到來，先進(jìn)制程工藝下的芯片良率也很難提高。芯片遇到了大難題。芯片流片成功率，歷史低點(diǎn)流片對(duì)于芯片設(shè)計(jì)來說，就是參加一次大考。流片是檢驗(yàn)芯片設(shè)計(jì)是否成功的關(guān)鍵，就是將設(shè)計(jì)好的方案交給代工廠生產(chǎn)出樣品，檢驗(yàn)設(shè)計(jì)的芯片
- 關(guān)鍵字： 2nm 芯片制造
押注Rapidus 日本2nm芯片制造試產(chǎn)
- 世界上只有三家公司能夠執(zhí)行大規(guī)模制造最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片的令人難以置信的精度。上個(gè)月，日本的一家初創(chuàng)公司邁出了成為第四家的第一步。Rapidus?在 4 月 1 日實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵的里程碑，它使用與 IBM 合作開發(fā)的配方，基于?IBM 的納米片晶體管結(jié)構(gòu)，啟動(dòng)并測(cè)試了其 2 納米節(jié)點(diǎn)芯片的試驗(yàn)線。?Rapidus 告訴?IEEE Spectrum，其位于千歲的新晶圓廠安裝了 200 多臺(tái)尖端設(shè)備，包括 Keystone 部件，一個(gè)價(jià)值超過 3 億美元的最先進(jìn)的極紫外&
- 關(guān)鍵字： Rapidus 2nm 芯片制造
n2 2nm介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條n2 2nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)n2 2nm的理解，并與今后在此搜索n2 2nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)n2 2nm的理解，并與今后在此搜索n2 2nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
n2 2nm專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473